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玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線
簡(jiǎn)要描述:

玉崎科學(xué)XTRAIA CD-3200T半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線
玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線

透射射線CD測(cè)量工具

  • 產(chǎn)品型號(hào):XTRAIA CD-3200T
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-29
  • 訪  問(wèn)  量:220

詳細(xì)介紹

玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線

玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線


TSAXS 是一種用于 CD 測(cè)量的在線小角度 X 射線散射方法。

兼容最大 300 毫米的晶圓

端器件微形狀(淺圖案/深圖案)測(cè)量設(shè)備

可以對(duì)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行無(wú)損測(cè)量,例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。獲得反映橫截面形狀的 X 射線衍射圖像。

XTRAIA CD-3200T 概述

我們提供一系列適合各種形狀半導(dǎo)體器件的設(shè)備。

可以非破壞性地測(cè)量納米結(jié)構(gòu),例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。

無(wú)需任何事先準(zhǔn)備(例如文庫(kù))即可開(kāi)始測(cè)量和分析。準(zhǔn)確測(cè)量抗蝕劑等有機(jī)材料,無(wú)收縮。

應(yīng)用實(shí)例

  • 使用 TSAXS 進(jìn)行深孔無(wú)損測(cè)量

  • 疊加 TSAXS 和橫截面掃描電子顯微鏡 (SEM)

  • TSAXS 側(cè)壁 TiN 薄膜的厚度分布

  • 晶圓平面內(nèi)CD和面內(nèi)傾斜角的分布

  • 深度方向CD剖面

XTRAIA CD-3200T 規(guī)格

方法小角 X 射線散射 - 透射模式 (TSAXS)
目的高深寬比 (HAR) 結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸測(cè)量
X射線源旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極陰極(Mo Ka,17.4 keV)
X射線光學(xué)系統(tǒng)多層鏡光學(xué)系統(tǒng)
X射線探測(cè)器HyPix 6000HE (2D)
主要部件圖案化晶圓的測(cè)量
周期性微小 3D 形狀
深孔/柱結(jié)構(gòu)
DRAM、3D-NAND、3D LSI 結(jié)構(gòu)
特征模式識(shí)別和全晶圓映射
選項(xiàng)GEM300 軟件,E84/OHT 支持
機(jī)身尺寸4020(寬)×2500(深)×3450(高)毫米
測(cè)量目標(biāo)節(jié)距、CD、高度、側(cè)壁厚度、SWA(側(cè)壁角度)、RT(圓頂)、RB(圓底)、CD分布、節(jié)距分布、高度分布


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