
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,電鍍工藝的精度直接決定著芯片的性能與可靠性,而山本鍍金的設(shè)備正是這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)保障。
在半導(dǎo)體制造工藝中,晶圓電鍍技術(shù)直接影響著芯片的性能、功耗和可靠性。隨著半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)不斷縮小,三維結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,對(duì)電鍍工藝的要求也愈發(fā)嚴(yán)苛。
日本山本鍍金(YAMAMOTO)憑借其專業(yè)的技術(shù)積累和創(chuàng)新的設(shè)備設(shè)計(jì),為半導(dǎo)體行業(yè)提供了一系列可靠的晶圓電鍍解決方案。
山本鍍金的晶圓電鍍?cè)O(shè)備產(chǎn)品線完整,從研發(fā)實(shí)驗(yàn)到小規(guī)模生產(chǎn)均有相應(yīng)型號(hào)覆蓋,構(gòu)成了完整的電鍍解決方案。
對(duì)于研發(fā)和實(shí)驗(yàn)需求,山本鍍金提供了多種專用設(shè)備。A-SO-ST4-N型4英寸晶圓電鍍實(shí)驗(yàn)裝置專為科研機(jī)構(gòu)和小批量生產(chǎn)設(shè)計(jì)。
該裝置配備專用陰極盒,電鍍有效范圍達(dá)直徑95mm左右,適用于厚度300μm以上的晶圓,電鍍膜厚可達(dá)30μm以下。
更為先進(jìn)的500G晶圓電鍍?cè)O(shè)備采用獨(dú)特的溢流設(shè)計(jì),通過(guò)磁力攪拌器實(shí)現(xiàn)循環(huán),無(wú)需使用泵,大大節(jié)省了空間。
其玻璃材質(zhì)的槽體使得它能夠兼容傳統(tǒng)樹(shù)脂槽難以應(yīng)對(duì)的特殊化學(xué)品,如離子液體,大大擴(kuò)展了實(shí)驗(yàn)可能性。
對(duì)于更大尺寸的晶圓,山本鍍金提供了可處理2-12英寸晶圓的完整電鍍系統(tǒng)。這些系統(tǒng)通過(guò)特殊夾具設(shè)計(jì),能夠滿足半導(dǎo)體和MEMS領(lǐng)域的精密電鍍需求。
系統(tǒng)采用不斷過(guò)濾的同時(shí)從槽底產(chǎn)生溫和對(duì)流導(dǎo)致溢流的結(jié)構(gòu),有的型號(hào)還具備可進(jìn)行高速攪拌的單面溢流型和雙面溢流型。
B-92-WF-PPM1-T01型號(hào)的20L溢流電鍍水箱采用了與硅片槽相同的結(jié)構(gòu),使用時(shí)不斷過(guò)濾,液位保持恒定,專為電流分布劇烈的精密電鍍?cè)O(shè)計(jì)。
山本鍍金電鍍?cè)O(shè)備的核心優(yōu)勢(shì)在于其對(duì)電鍍過(guò)程每一個(gè)環(huán)節(jié)的精準(zhǔn)控制,從電流、溫度到流體 dynamics,無(wú)不體現(xiàn)著日本精密制造的追求。
電鍍電源的精度直接決定著電鍍質(zhì)量。山本鍍金的A-57-15031WA超精密電鍍電源具備驚人的1mV電壓分辨率和10μA電流分辨率。
這種精度對(duì)于先進(jìn)半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)的電鍍工藝至關(guān)重要。A-57-15101D型號(hào)則適用于4-12英寸晶圓的電鍍,提供DC 0-15V、0-10A的輸出。
兩款電源均配備溫控功能和可編程能力,支持步進(jìn)電流變化,滿足復(fù)雜工藝需求。
山本鍍金的電鍍槽體設(shè)計(jì)特色。500G型號(hào)采用玻璃材質(zhì)和氟樹(shù)脂攪拌機(jī)構(gòu),耐熱溫度高達(dá)400℃。
這種設(shè)計(jì)不僅避免了傳統(tǒng)樹(shù)脂槽與特殊化學(xué)品(如離子液體)的兼容性問(wèn)題,還因玻璃的透明特性便于觀察電鍍過(guò)程。
溢流式設(shè)計(jì)是另一大亮點(diǎn),通過(guò)從槽底產(chǎn)生溫和對(duì)流并溢流,有效應(yīng)對(duì)蒸發(fā)引起的液面變化,維持穩(wěn)定的電流分布和電鍍面積。
山本鍍金設(shè)備提供多種攪拌方式。500G型號(hào)利用磁力攪拌器實(shí)現(xiàn)溢流循環(huán),而標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)則提供槳式攪拌直接攪拌的方式。
A-SO-ST4-N系統(tǒng)還配備了專用均勻攪拌儀,可精確控制轉(zhuǎn)速。這種靈活的攪拌方案確保了不同粘度電鍍液和不同工藝要求下的最佳質(zhì)量。
表:山本鍍金晶圓電鍍?cè)O(shè)備核心技術(shù)參數(shù)對(duì)比
| 技術(shù)參數(shù) | A-SO-ST4-N | 500G型號(hào) | 12英寸系統(tǒng) |
|---|---|---|---|
| 處理晶圓尺寸 | 4英寸 | 2-6英寸 | 2-12英寸 |
| 電源精度 | 未詳細(xì)說(shuō)明 | 未詳細(xì)說(shuō)明 | 1mV/10μA |
| 槽體材質(zhì) | 未詳細(xì)說(shuō)明 | 玻璃/氟樹(shù)脂 | 丙烯酸/PP/PVC |
| 溫度控制 | 數(shù)碼式溫控儀 | 熱攪拌器(可達(dá)400℃) | PID控制 |
| 攪拌方式 | 均勻攪拌儀 | 磁力攪拌溢流 | 槳式攪拌/空氣攪拌 |
山本鍍金電鍍?cè)O(shè)備的應(yīng)用范圍覆蓋了傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造、新興MEMS技術(shù)以及先進(jìn)封裝等多個(gè)領(lǐng)域。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,山本鍍金設(shè)備用于晶圓的銅互連電鍍,這是現(xiàn)代芯片制造中的關(guān)鍵工藝。
設(shè)備能夠處理從2英寸到12英寸的各種尺寸晶圓,適用于研發(fā)和中小規(guī)模生產(chǎn)。
對(duì)于MEMS和傳感器制造,電鍍工藝常用于創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)和金屬圖形。山本鍍金的精密電鍍?cè)O(shè)備能夠滿足這些領(lǐng)域?qū)?span style="font-weight: 600;">深孔填充和圖形均勻性的高要求。
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,如山本鍍金設(shè)備可用于晶圓級(jí)封裝的電鍍工藝。其均勻的電鍍厚度控制和穩(wěn)定的電流分布確保了封裝可靠性。
山本鍍金設(shè)備不僅適用于硅晶圓,還可用于SiC、玻璃、GaAs、InP等多種基板材料的電鍍,為新型半導(dǎo)體材料的研究提供了有力工具。
除了核心電鍍?cè)O(shè)備,山本鍍金還提供完整的輔助設(shè)備體系,構(gòu)建了全面的電鍍解決方案。
迷你過(guò)濾器如20APFA型(帶1μm濾芯)最大流量達(dá)4.8L/min,確保電鍍液純凈。溫控系統(tǒng)則通過(guò)數(shù)碼溫控儀和加熱器維持穩(wěn)定的工藝溫度。
專用氣泵如M202型提供約6.4L/min的出氣量,配合空氣濾膜,為電鍍過(guò)程提供潔凈的空氣攪拌。
山本鍍金提供各種專業(yè)化夾具,包括全密封夾具、非密封夾具、臥式夾具等。這些夾具可根據(jù)客戶樣品形狀定制,確保各種特殊形狀工件的電鍍質(zhì)量。
山本鍍金設(shè)備融合了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)理念,使其在競(jìng)爭(zhēng)中保持地位。
先進(jìn)的電源設(shè)備配備Plate Laboratory®控制軟件,支持電鍍實(shí)驗(yàn)預(yù)測(cè)和數(shù)據(jù)采集分析。
這種智能化系統(tǒng)可以存儲(chǔ)和優(yōu)化工藝參數(shù),大幅提高研發(fā)效率和工藝重現(xiàn)性。
采用玻璃和氟樹(shù)脂等材料的設(shè)計(jì),使山本鍍金設(shè)備能夠處理傳統(tǒng)設(shè)備難以應(yīng)對(duì)的特殊化學(xué)品。
這對(duì)于新興半導(dǎo)體材料和工藝的開(kāi)發(fā)至關(guān)重要,如離子液體電鍍等先進(jìn)技術(shù)。
山本鍍金具備強(qiáng)大的定制能力,能根據(jù)客戶的特殊需求定制夾具、槽體尺寸甚至整體系統(tǒng)。
無(wú)論是特殊形狀的基板還是非標(biāo)準(zhǔn)尺寸的晶圓,都能得到合適的電鍍解決方案。
山本鍍金的晶圓電鍍?cè)O(shè)備組合,憑借其精密控制技術(shù)、創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念和靈活定制能力,為半導(dǎo)體行業(yè)提供了一套完整而可靠的解決方案。
從研發(fā)實(shí)驗(yàn)室到小型生產(chǎn)線,山本鍍金的設(shè)備都在助力芯片制造技術(shù)的進(jìn)步,為更小、更快、更高效的半導(dǎo)體器件誕生奠定著基礎(chǔ)。
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向更小節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的今天,山本鍍金這樣的精密電鍍?cè)O(shè)備供應(yīng)商,正成為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)發(fā)展的的力量。
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